STD80N450K6

Name: STMicroelectronics STD80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N450K6
Price: 30.6 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STD80N450K6

制造商编号：

STD80N450K6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥34.578	¥34.58
	¥22.6678	¥226.68
	¥16.9613	¥1,696.13
	¥15.0516	¥7,525.80
	¥12.9046	¥12,904.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥12.1588	¥30,397.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	17.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	83 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	12.7 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	28.8 ns
典型接通延迟时间:	10.6 ns
单位重量:	330 mg

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ECCN:: EAR99

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V，±30V栅极/源极电压，工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。

STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、83W总功耗、全球R_{DS(ON) x 面积以及全球品质因数（} FOM）。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C，采用DPAK（TO-252）A2型封装。典型应用包括反激式转换器、LED照明以及平板电脑和笔记本电脑。