NTHL075N065SC1

onsemi
863-NTHL075N065SC1
NTHL075N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 677

库存：
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生产周期：
17 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥75.6874 ¥75.69
¥43.844 ¥438.44

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
85 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
148 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 9 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 12 ns
系列: NTHL075N065SC1
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美NTHL075N065SC1碳化矽（SiC）MOSFET比硅具有更出色的开关性能和更高的可靠性。安森美NTHL075N065SC1具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。系统优势包括高效率、快速操作频率、功率密度更高、EMI和系统尺寸更小。

热泵

热泵是全球向安全和可持续加热转变的基石，利用低辐射电力提供可靠的暖化。虽然其主要功能是加热，但创新的反向循环型号也具有冷却功能。此外，通过有效回收废热并将其温度提高到实际水平，热泵在节能方面具有巨大潜力。随着企业转向低碳未来，对更高效的功率半导体的需求不断增加。在这一努力中，平衡成本、占位面积和效率至关重要。安森美 (onsemi) 智能功率模块 (IPM) 是热泵市场中值得注意的解决方案，设计紧凑，功率密度高，具有先进的控制特性。

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