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NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET - onsemi
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onsemi NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
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安森美NTHL075N065SC1碳化矽(SiC)MOSFET比硅具有更出色的开关性能和更高的可靠性。安森美NTHL075N065SC1具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,可确保低电容和栅极电荷。系统优势包括高效率、快速操作频率、功率密度更高、EMI和系统尺寸更小。
特性
典型值
RDS(on)
= 57m(
VGS
= 18V时)
典型值
RDS(on)
= 75m(
VGS
= 15V时)
超低栅极电荷 (
QG(tot)
=61nC)
低输出电容 (
Coss
=107pF)
100%经雪崩测试
T
J
=175°C
该器件不含卤素、符合 RoHS 标准、免7a、无铅2LI(二级互连)
应用
开关模式电源 (SMPS)
太阳能逆变器
不间断电源 (UPS)
能量存储
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发布日期: 2023-01-05 | 更新日期: 2023-03-21