结果: 577
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 300
倍数： 10

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 38 A 313 W - 55 C + 150 C IXBN42N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 57Amps 1700V
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole IXBR42N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds
数据表
无库存交货期 70 周
最低： 300
倍数： 30
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBT10N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1700V 16A IGBT
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BiMOSFETs/Reverse Conducting 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 70 周
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT IXBT24N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 65Amps 1700V
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBX75N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 Amps 1200V
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.8 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXDA20N120AS Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 100A GENX4 无库存交货期 47 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole 1.2 kV 2.2 V 140 A Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGA12N120A3 TRL
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 22 A 100 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGA20N120A3 TRL
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 180 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.7 V 20 V 36 A - 55 C + 150 C IXGA20N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGA20N120B3 TRL
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 36 A 180 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGA30N120B3 TRL
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.96 V - 20 V, 20 V 60 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGA48N60B3 TRL
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 48 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGA48N60C3 TRL
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 75 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

Si Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 120 Amps 300V
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 300 V 1.75 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGH120N30 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V 20 V 22 A - 55 C + 150 C IXGH12N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
数据表
无库存交货期 65 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247AD-3 - 20 V, 20 V IXGH24N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24 Amps 1200V 无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 - 20 V, 20 V IXGH24N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.5 V - 20 V, 20 V 24 A 250 W - 55 C + 150 C IXGH24N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 2500V 60A IGBT
数据表
无库存交货期 62 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Very High Voltage Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.6 V 20 V 48 A - 55 C + 150 C IXGH30N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75Amps 1200V
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4.4 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube