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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole 600 V 1.18 V - 20 V, 20 V 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75Amps 1200V 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 30

Si TO-247AD-3 - 20 V, 20 V IXGH50N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 600V 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.59 V 20 V 64 A - 55 C + 150 C IXGH64N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 85 Amps 300V 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 300 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH85N30 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 120 Amps 1200V 无库存交货期 49 周
最低: 300
倍数: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 240 A 830 W - 55 C + 150 C IXGK120N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 200Amps 1200V 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 25

Si Through Hole Single 1.2 kV 3 V - 20 V, 20 V 200 A 830 W - 55 C + 150 C IXGK120N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.6 V 20 V 95 A - 55 C + 150 C IXGK50N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V 20 V 125 A - 55 C + 150 C IXGK55N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 25

Si TO-264-3 Through Hole 600 V 600 V 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGK72N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 25

Si IXGK82N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 25

Si IXGK82N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 130Amps 1200V 无库存交货期 32 周
最低: 300
倍数: 10

Si IXGN82N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A 无库存交货期 32 周
最低: 300
倍数: 50

Si Through Hole Single 1.2 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 36 A 180 W - 55 C + 150 C IXGP20N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24 Amps 1200V 无库存交货期 32 周
最低: 300
倍数: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.6 V - 20 V, 20 V 48 A 250 W - 55 C + 150 C IXGP24N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 600V 36A GENX3 无库存交货期 27 周
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.4 V - 20 V, 20 V 200 A 220 W - 55 C + 150 C Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8 Amps 1700V 5.2 Rds 无库存交货期 39 周
最低: 300
倍数: 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 16 A 120 W - 55 C + 150 C IXGR16N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 48 Amps 1200V 2.75 Rds 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.6 V - 20 V, 20 V 48 A 200 W - 55 C + 150 C IXGR24N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 48 Amps 1200V 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si - 20 V, 20 V IXGR24N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 17 Amps 1700V 5.2 Rds 无库存交货期 39 周
最低: 300
倍数: 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 26 A 200 W - 55 C + 150 C IXGR32N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 48 Amps 600V 2 Rds 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si - 20 V, 20 V IXGR48N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.2 V 20 V 70 A - 55 C + 150 C IXGR55N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds 无库存交货期 39 周
最低: 300
倍数: 30
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 32 A 190 W - 55 C + 150 C IXGT16N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 11 Amps 1700V 5 Rds 无库存交货期 39 周
最低: 300
倍数: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT 5 V - 20 V, 20 V IXGT16N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds 无库存
最低: 30
倍数: 30
Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C IXGT24N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 4.5 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGT24N170 Tube