结果: 577
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 2500V 2A IGBT
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 2.5 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 5.5 A 32 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGT32N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 1200V 3.5 V Rds
数据表
无库存
最低： 600
倍数： 30
Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGT40N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGT64N60B3 TRL
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 400
倍数： 400
卷轴: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 400 A 460 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGT6N170 TRL
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 3 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGT6N170A TRL
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 7 V - 20 V, 20 V 6 A 75 W - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1700V 6A IGBT
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si - 20 V, 20 V High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGT6N170AHV TRL
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 400
倍数： 400
卷轴: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 7 V - 20 V, 20 V 6 A 75 W - 55 C + 150 C High Voltage Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXGT72N60A3 TRL
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 400
倍数： 400
卷轴: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 170 A 830 W - 55 C + 150 C IXGX100N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 120 Amps 1200V
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 240 A 830 W - 55 C + 150 C IXGX120N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 15khz-40khz Power Device
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXGX120N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 600V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 46 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.4 V 20 V 500 A 1.7 kW - 55 C + 150 C IXGX320N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.6 V 20 V 95 A - 55 C + 150 C IXGX50N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole IXGX55N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 65 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole IXGX82N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole IXGX82N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 650V 30A XPT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 600V 50A XPT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 110A XPT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX5 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 140A XPT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 340 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 70 A 230 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX10 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 62 A 230 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX11 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 115 A 455 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX13 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 40A GENX4
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 123 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube