结果: 557
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 1200V 120A GENX3 无库存交货期 25 周
最低: 300
倍数: 25
Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 320 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 900V 140A GENX3 无库存交货期 25 周
最低: 300
倍数: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 310 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 1700V 30A DIODE 无库存交货期 55 周
最低: 300
倍数: 25

TO-264-3 Through Hole Single 937 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ISOPLUS 2500V 40A DIODE 无库存交货期 54 周
最低: 300
倍数: 25

ISOPLUS i5-PAC Through Hole Single 577 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 1200V 76A DIODE 无库存交货期 45 周
最低: 300
倍数: 10

Si - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 250 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 650V 270A GENX3 无库存交货期 22 周
最低: 300
倍数: 10

SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V XPT IGBT GenX3 无库存交货期 30 周
最低: 300
倍数: 10

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C IXYN82N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP 无库存
最低: 300
倍数: 50

Si - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 15 A 53 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 650V 15A GENX3 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP 无库存
最低: 300
倍数: 50
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.77 V - 20 V, 20 V 58 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 1KV 24A IGBT 无库存交货期 24 周
最低: 300
倍数: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX50 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 650V 30A XPT 无库存交货期 23 周
最低: 300
倍数: 50
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 900V IGBT GenX3 XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 无库存交货期 44 周
最低: 300
倍数: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C IXYP8N90 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-3P (3) 无库存
最低: 300
倍数: 30
Si TO-3P-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 70 A 270 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 无库存交货期 31 周
最低: 300
倍数: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 110 A 484 W - 55 C + 175 C IXYR100N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ISOPLUS 1200V 32A DIODE 无库存交货期 65 周
最低: 300
倍数: 30

Si - 20 V, 20 V Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1200V 17A DIODE 无库存交货期 43 周
最低: 300
倍数: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/60A XPT Copacked TO-268HV 无库存交货期 31 周
最低: 300
倍数: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXYT30N65C3 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 900V 80A XPT 无库存交货期 23 周
最低: 300
倍数: 30

Si SMD/SMT Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 165 A 830 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 1200V 100A GENX3 无库存交货期 28 周
最低: 300
倍数: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Tube