结果: 577
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 50

Si - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 15 A 53 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 650V 15A GENX3
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 50
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.77 V - 20 V, 20 V 58 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 650V 20A GENX3 无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 1KV 24A IGBT
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 300
倍数： 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX50 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 650V 30A XPT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 900V IGBT GenX3 XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C IXYP8N90 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-3P (3)
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30
Si TO-3P-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 70 A 270 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 110 A 484 W - 55 C + 175 C IXYR100N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ISOPLUS 1200V 32A DIODE
数据表
无库存交货期 65 周
最低： 300
倍数： 30

Si - 20 V, 20 V Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1200V 17A DIODE
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXYT30N65C3 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 900V 80A XPT
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si SMD/SMT Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 165 A 830 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 1200V 100A GENX3
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 1200V 120A GENX3
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30
Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 320 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 95 A 937 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYY8N90C3 TRL
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 125 W - 55 C + 175 C Reel
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SMPD 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Power Device
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 20

Si SMDP-21 SMD/SMT Single - 20 V, 20 V 223 A 625 W - 55 C + 175 C MMIX1X200N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SMPD 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Power Device
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 20

Si SMDP-21 SMD/SMT Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 175 A 520 W - 55 C + 150 C MMIX1X200N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SMPD 650V 295A XPT
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 20

SMD/SMT Single 1.2 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 无库存
最低： 6
倍数： 6
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存
最低： 6
倍数： 6
Capsule Type