结果: 557
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS IXGK50N60BU1
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 600V 2.3 Rds
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

Si TO-264AA-3 Through Hole Single 600 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGK50N60 Tube
IXYS IXGN100N120
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) G-series 无库存
最低： 10
倍数： 10

Si IXGN100N120 Tube
IXYS IXGQ180N33TCD1
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) G-series A,B,C 无库存
最低： 30
倍数： 30

Si IXGQ180N33 Tube
IXYS IXGQ200N30PB
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) G-series A,B,C 无库存
最低： 30
倍数： 30

Si IXGQ200N30 Tube
IXYS IXGQ96N30TBD1
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A 无库存
最低： 30
倍数： 30

Si IXGQ96N30 Tube
IXYS IXGQ96N30TCD1
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si IXGQ96N30 Tube
IXYS IXGT20N 60B
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGT20N 60 Tube
IXYS IXGT20N 60BD1
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGT20N 60 Tube
IXYS IXGT24N60B
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 48 Amps 600 V 1.7 V Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si - 20 V, 20 V IXGT24N60 Tube
IXYS IXGT30N120BD1
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 50 Amps 1200V 3.5 V Rds 无库存
最低： 30
倍数： 30

Si - 20 V, 20 V IXGT30N120 Tube
IXYS IXGT50N90B2D1
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 900V 无库存交货期 39 周
最低： 30
倍数： 30

Si TO-268-3 SMD/SMT 2.7 V - 20 V, 20 V IXGT50N90 Tube
IXYS IXGX40N120BD1
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 1200V 3.3 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si IXGX40N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 650V 20A XPT
数据表

- 20 V, 20 V Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 40A IGBT
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 140 A 600 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX45 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 112A IGBT
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 136 A 680 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 40A IGBT
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 120 A 680 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX48 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 1200V 20A IGBT
数据表

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 20A IGBT
数据表

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 68 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX49 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1KV 24A XPT
数据表

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 85 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 1KV 30A IGBT
数据表

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX51 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1200V 40A XPT
数据表

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IXYA12N250CHV
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-Hi Voltage TO-263D2
数据表
Tube
IXYS IXYT12N250CV1HV
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 2500V 12A DIODE
数据表
Tube
IXYS IXGA20N250HV-TRL
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 2500V 12A IGBT
数据表

- 20 V, 20 V Reel