LMG3616REQR

Texas Instruments
595-LMG3616REQR
LMG3616REQR

制造商：

说明：
栅极驱动器 SINGLE-CHANNEL 650-V 270-MOHM GAN FET

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Texas Instruments LMG3616REQR详情

库存量: 1,992

库存：
1,992 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥54.0931 ¥54.09
¥36.4764 ¥364.76
¥26.6341 ¥2,663.41
¥25.9674 ¥25,967.40
¥21.6734 ¥43,346.80

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
REACH - SVHC:
Power Switch ICs
Driver
SMD/SMT
VQFN-38
1 Output
5 A
10 V
26 V
- 40 C
+ 125 C
LMG3616
商标: Texas Instruments
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

LMG3616 650V GaN功率FET

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护，适用于开关模式电源应用。 通过将GaN FET和栅极驱动器集成在8mmx5.3mm的QFN封装中，该GaN FET简化了设计且减少了元件数量。LMG3616 GaN FET具有可编程开启转换速率，可提供EMI和振铃控制。晶体管的内部栅极驱动器可调节驱动电压，以获得最佳GaN FET导通电阻。内部驱动器降低了总栅极电感和GaN FET共源电感，从而提高开关性能，包括共模瞬态抗扰度（CMTI）。典型应用包括AC/DC USB壁式插座、AC/DC辅助电源、电视、电视SMPS、移动壁式充电器设计和USB壁式电源插座的电源。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。