CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
1,121库存量
4,000预期 2026/5/21
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
1,882库存量
1,250预期 2026/3/19
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
1,974预期 2026/5/14
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC