碳化硅MOSFET

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CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名
碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥62.5342 6,802库存量 3,000预期 2027/3/11	制造商零件编号 IMBF170R450M1XTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 了解更多关于Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 的信息	数据表	6,802库存量 3,000预期 2027/3/11	剪切带 ¥62.5342 ¥34.0017 ¥31.188 ¥29.5269 卷轴 ¥26.3855 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥44.1717 19库存量 25,000在途量	制造商零件编号 IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 了解更多关于Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 的信息	数据表	19库存量 25,000在途量订单发货日期制造商编号： IMBF170R1K0M1XTMA1 库存： 19 可立即发货在途量: 2,000 预期 2027/1/7 23,000 待定生产周期： 60 周	剪切带 ¥44.1717 ¥23.4136 ¥21.3457 ¥18.532 卷轴 ¥17.289 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥53.5168 186库存量 2,000预期 2026/10/16	制造商零件编号 IMBF170R650M1XTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 了解更多关于Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 的信息	数据表	186库存量 2,000预期 2026/10/16	剪切带 ¥53.5168 ¥28.2839 ¥25.7301 ¥23.4136 卷轴 ¥20.7581 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC

CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET

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