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SIR186LDP-T1-RE3

Name: Vishay SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR186LDP-T1-RE3
Price: 11.05 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIR186LDP-T1-RE3

制造商编号：

SIR186LDP-T1-RE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET PPAKSO8 N-CH 60V 23.8A

数据表:

SIR186LDP-T1-RE3 数据表

ECAD模型:

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¥-.--

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¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥12.4865	¥12.49
	¥7.8874	¥78.87
	¥5.2997	¥529.97
	¥4.1697	¥2,084.85
	¥3.7968	¥3,796.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.3335	¥10,000.50
	¥3.1075	¥18,645.00
	¥2.9945	¥26,950.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	80.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	31.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	57 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	54 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	26 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET^® Gen IV功率MOSFET技术。SiR186LDP MOSFET具有超低R_DS Q_g品质因数 (FOM)，经过调谐，可实现最低R_DS Q_oss FOM。Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道 60V (D-S) MOSFET非常适合用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关应用。