FGHL50T65MQDTx场终止沟槽型IGBT
安森美半导体FGHL50T65MQDTx场终止沟槽型IGBT是第4代中速IGBT技术，内置额定电流二极管。这些IGBT的最高工作结温为+175°C。特性包括大电流能力、平滑和优化的开关以及紧密的参数分布。典型应用包括太阳能逆变器、UPS、ESS、转换器和FPS。
安森美半导体FGHL50T65MQDTx场终止沟槽型IGBT是第4代中速IGBT技术，内置额定电流二极管。这些IGBT的最高工作结温为+175°C。特性包括大电流能力、平滑和优化的开关以及紧密的参数分布。典型应用包括太阳能逆变器、UPS、ESS、转换器和FPS。