SIHR080N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHR080N60ET1GE3
SIHR080N60E-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CHANNEL 600V

数据表:
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数量 单价
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¥59.2233 ¥59.22
¥42.5106 ¥425.11
¥32.3406 ¥3,234.06
¥30.3518 ¥30,351.80
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥28.7811 ¥57,562.20
4,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
600 V
51 A
74 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
PowerPAK
Reel
Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 4.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 96 ns
系列: SIHR E
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiHR080N60E N沟道功率MOSFET

Vishay/SiliconSense  SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK  ® 8 x 8LR封装。该MOSFET可为电信、工业和计算应用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型导通电阻（10V时）和低至42nC的超低栅极电荷，从而降低了导通和开关损耗，因此可在电源系统 >2kW中节约能源并提高效率。该封装还提供开尔文连接，以提高开关效率。Vishay/Siliconix  SiHR080N60E 设计用于承受雪崩模式下的过压瞬变，保证限值通过100% UIS测试。

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