SIHR080N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHR080N60ET1GE3
SIHR080N60E-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CHANNEL 600V

数据表:
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¥45.4938 ¥454.94
¥33.2559 ¥3,325.59
¥32.5101 ¥16,255.05
¥30.6004 ¥30,600.40
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¥30.6004 ¥61,200.80

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
600 V
51 A
74 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
PowerPAK
Reel
Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 4.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 96 ns
系列: SIHR E
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiHR080N60E N沟道功率MOSFET

Vishay/SiliconSense  SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK  ® 8 x 8LR封装。该MOSFET可为电信、工业和计算应用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型导通电阻（10V时）和低至42nC的超低栅极电荷，从而降低了导通和开关损耗，因此可在电源系统 >2kW中节约能源并提高效率。该封装还提供开尔文连接，以提高开关效率。Vishay/Siliconix  SiHR080N60E 设计用于承受雪崩模式下的过压瞬变，保证限值通过100% UIS测试。

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