NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块

安森美 (onsemi) NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块是2组模块，具有两个3mΩ 或4mΩ 1200V SiC MOSFET开关，和一个采用Zirconia Doped Alumina (HPS) 直接覆铜 (DBC) 或氮化硅 (Si3N4) DBC的热敏电阻器。 F2封装的SiC MOSFET开关采用M3S技术，栅极驱动范围为15V至18V。应用包括直流-交流、直流-直流和交流-直流转换。

结果: 4
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi MOSFET模块 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
数据表
58库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray