Trench8 MOSFET

onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (R_DS(ON))、超低栅极电荷 (Q_g) 和低 Q_g x R_DS(ON)，后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能，与Trench6系列相比，Q_g 和Q_oss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型，设计灵活。符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能，适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装，可进行自动光学检测（AOI）。