功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型

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结果: 310
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 514库存量
1,000预期 2026/9/18
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 72库存量
3,000预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected 443库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package 8库存量
1,200预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 379库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET 593库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 360库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 676库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5 718库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 1,200库存量
600预期 2026/6/18
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS 263库存量
600预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 533库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 208库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A 2库存量
600预期 2026/7/24
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 106库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 664库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 221库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop 177库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
2,421预期 2026/6/30
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
399预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
2,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
1,677预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
898预期 2026/6/15
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
1,000预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5
3,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x5-12