功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型

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结果: 310
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
6,000预期 2026/6/18
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
5,995预期 2026/7/2
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
5,000预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
1,000预期 2026/9/25
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
1,694预期 2027/6/18
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
3,000预期 2026/8/14
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1,200预期 2026/6/22
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
257预期 2026/7/6
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 163库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET 14库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa 631库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH 31库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected 707库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT 280库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 451库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 903库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package 130库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 127库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1,754预期 2027/4/16
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
600预期 2026/7/28
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
600在途量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics MOSFET N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
997预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
988预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
2,000在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 无库存交货期 18 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)