功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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交货期 18 周
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最低： 1
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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产品评论
无库存交货期 18 周
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
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无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
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交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
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无库存交货期 14 周
最低： 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
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交货期 16 周
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
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无库存交货期 18 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
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无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
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无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
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交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
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无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
数据表
交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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无库存交货期 20 周
最低： 600
倍数： 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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无库存交货期 20 周
最低： 600
倍数： 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
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无库存交货期 22 周
最低： 600
倍数： 600

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
数据表
交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3