功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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11,800库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
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6,087库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
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2,390库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS
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2,718库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
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4,048库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
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9,239库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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2,642库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
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2,421库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET
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4,850库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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2,500库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
数据表
3,166库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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3,301库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
数据表
2,753库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
数据表
2,874库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect
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1,081库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
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1,977库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
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8,345库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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1,846库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
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1,014库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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1,904库存量
最低： 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
数据表
1,996库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
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338库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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1,693库存量
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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659库存量
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倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3