功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
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4,734库存量
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
数据表
2,616库存量
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倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
数据表
3,495库存量
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倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec
数据表
2,117库存量
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII
数据表
2,218库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
766库存量
1,000预期 2026/9/18
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
数据表
2,032库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
数据表
1,173库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII
数据表
1,079库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
数据表
6,184库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
数据表
436库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
数据表
3,072库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
数据表
1,437库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
数据表
1,718库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A
数据表
939库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
1,498库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
数据表
663库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
数据表
388库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
数据表
1,060库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
数据表
1,798库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
数据表
565库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
数据表
263库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
数据表
282库存量
1,800在途量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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1,159库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
数据表
900库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)