功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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116库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
数据表
574库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
数据表
产品评论
653库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
数据表
441库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
数据表
1,037库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
数据表
1,012库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
数据表
399库存量
1,000预期 2026/2/17
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
数据表
207库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
数据表
1,554库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
数据表
229库存量
1,000预期 2026/4/6
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
数据表
422库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
数据表
880库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
数据表
986库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
数据表
13库存量
1,000预期 2026/3/16
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
数据表
137库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
数据表
344库存量
1,000预期 2026/4/2
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
1,076库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
数据表
185库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
452库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
数据表
400库存量
600预期 2026/4/13
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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470库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
数据表
311库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd
数据表
74库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
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163库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2