SID11xxKQ SCALE-iDrivers

Power Integrations SID11xxKQ SCALE-iDrivers are 8A single-channel gate drivers which provide reinforced galvanic isolation for automotive applications. These drivers offer an 8A peak output drive current that drives IGBTs and MOSFETs up to 600A without any additional active components. Power Integrations SID11xxKQ SCALE-iDrivers provide stable positive and negative gate control voltage by one unipolar isolated voltage source. These drivers use integrated Fluxlink™ technology for safe isolation between the primary side and the secondary side. SID11xxKQ SCALE-iDrivers are suitable for 600V/650V/1200V IGBT and MOSFET switches.

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 安装风格 封装 / 箱体 激励器数量 输出端数量 输出电流 电源电压-最小 电源电压-最大 配置 上升时间 下降时间 最小工作温度 最大工作温度 系列 资格 封装
Power Integrations 栅极驱动器 8A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100 198库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT eSOP-R16B 1 Driver 1 Output 8 A 4.75 V 22 V Inverting 465 ns 460 ns - 40 C + 125 C SID11xxKQ AEC-Q100 Tube
Power Integrations 栅极驱动器 8A 750V Reinforced 75kHz 260ns AEC-Q100 180库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT eSOP-R16B-16 1 Driver 1 Output 8 A 4.75 V 22 V 465 ns 460 ns - 40 C + 125 C SID11xxKQ AEC-Q100 Tube
Power Integrations 栅极驱动器 2.5A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100 无库存
最低: 240
倍数: 48

IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT eSOP-R16B 1 Driver 1 Output 2.5 A 4.75 V 5.25 V Inverting 450 ns 450 ns - 40 C + 125 C SID11xxKQ AEC-Q100 Tube
Power Integrations 栅极驱动器 2.5A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000

IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT eSOP-R16B 1 Driver 1 Output 2.5 A 4.75 V 5.25 V Inverting 450 ns 450 ns - 40 C + 125 C SID11xxKQ AEC-Q100 Reel
Power Integrations 栅极驱动器 8A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000

IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT eSOP-R16B 1 Driver 1 Output 8 A 4.75 V 22 V Inverting 465 ns 460 ns - 40 C + 125 C SID11xxKQ AEC-Q100 Reel