CSD17581Q3A NexFET™ 功率 MOSFET

Texas Instruments CSD17581Q3A NexFET™ 功率 MOSFET 是一款 N 沟道 30V、3.2mΩ 功率 MOSFET。 该器件设计用于尽量降低功率转换应用中的损耗。 MOSFET 具有低 Qg、Qgd、RDS(on) 和低热阻。 这些特性使该器件非常适合用于网络、电信和计算系统等应用的负载点同步降压转换器。 该器件还非常适合用于电机控制应用，优化用于控制 FET 应用。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
数据表
306库存量
7,500预期 2026/3/12
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFET 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A
数据表
358库存量
250预期 2026/2/20
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel