AFBR-S4N44P014M

Broadcom / Avago
630-AFBR-S4N44P014M
AFBR-S4N44P014M

制造商:

说明:
光电二极管 Silicon Photomultiplier - 光电二极管 single SiPM PCB 4x4mm2 40um NUV-MT

ECAD模型:
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库存量: 392

库存:
392
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800
预期 2026/4/6
1,200
预期 2026/6/1
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
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¥248.0689 ¥248.07
¥200.1682 ¥2,001.68
¥161.8725 ¥64,749.00
1,200 报价

产品属性 属性值 选择属性
Broadcom Limited
产品种类: 光电二极管
RoHS:  
Photodiode Arrays
SMD/SMT
420 nm
3.3 uA
32.5 V
55 ns
- 20 C
+ 60 C
AFBR
商标: Broadcom / Avago
湿度敏感性: Yes
产品类型: Photodiodes
工厂包装数量: 400
子类别: Optical Detectors & Sensors
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490010
USHTS:
8541491050
JPHTS:
854149000
TARIC:
8541490000
BRHTS:
85414900
ECCN:
EAR99

AFBR-S4N44P014M NUV-MT硅光电倍增管

Broadcom AFBR-S4N44P014M NUV-MT硅光电倍增管是一款针对单光子超灵敏精密测量进行了优化的单通道SiPM。AFBR-S4N44P014M采用NUV-MT技术,与NUV-HD技术相比,该技术结合了改进的光探测效率 (PDE) 和降低的暗计数率和串扰。可以平铺多个AFBRS4N44P014M SiPM以覆盖较大面积。

硅光电倍增管 (SiPM)

Broadcom硅光电倍增管(SiPM)能够探测光线,甚至可检测至单光子级别。 此系列Broadcom硅雪崩光电二极管阵列以盖革模式运行,通过并联方式构成SiPM。 根据光源和应用的不同,可以组合成百上千块。每个SPAD均集成有一个串联电阻器,为下一个进入的光子压制雪崩并重置二极管。该SiPM的信号输出是与撞击传感器的光子数量成比例的电流,因此具有极高的增益和极快的响应时间。这款SiPM非常适合需要进行弱光检测和精确时序信息的领域,例如基于闪烁体的探测器和飞行时间系统。