LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级
Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级具有集成驱动器和保护功能,相较硅MOSFET具有更大优势。这些包括超低输入和输出电容。特性包括零反向恢复,开关损耗降低高达80%,开关节点振铃低,从而降低EMI。
Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级具有集成驱动器和保护功能,相较硅MOSFET具有更大优势。这些包括超低输入和输出电容。特性包括零反向恢复,开关损耗降低高达80%,开关节点振铃低,从而降低EMI。