LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级

Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级具有集成驱动器和保护功能,相较硅MOSFET具有更大优势。这些包括超低输入和输出电容。特性包括零反向恢复,开关损耗降低高达80%,开关节点振铃低,从而降低EMI。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 类型 安装风格 封装 / 箱体 激励器数量 输出端数量 输出电流 电源电压-最小 电源电压-最大 配置 上升时间 下降时间 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR 236库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHT 无库存交货期 12 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
卷轴: 2,000

MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 9.5 V 18 V 15 ns 4.2 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel