结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module 17库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module 19库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 450 A dual IGBT module 9库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM 10库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module 36库存量
最低: 1
倍数: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module 20库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT Module 1库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
20在途量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 750 A dual IGBT module 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 100 A PIM IGBT module 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

Tray