1200 V双IGBT模块

英飞凌1200V双IGBT模块是EconoDUAL™ 3 1200V、900A双TRENCHSTOP™ IGBT7模块，采用发射器控制的7二极管、NTC和PressFIT触点技术。IGBT模块在相同框架尺寸中提供更高的逆变器输出电流，并可避免并联。英飞凌1200V双IGBT模块提供简单可靠的组装，具有高互连可靠性。

结果: 11
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 450 A dual IGBT module
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module
数据表
33库存量
最低： 1
倍数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT Module
数据表
1库存量
10预期 2027/7/15
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
数据表
20在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module
数据表
交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 750 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 10
倍数： 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 100 A PIM IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Tray