PSMN8R0 N沟道MOSFET

Nexperia PSMN8R0 N沟道MOSFET是一款双逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双电源SO8)封装。该MOSFET采用 TrenchMOS技术。该器件达到重复雪崩等级,可耐受175°C温度。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 40V 30A 3,252库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21.8 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 40V 30A 66库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 9.4 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel