FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT

安森美FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT采用新颖的场终止型第7代IGBT技术和采用TO-247 4−lead封装的第7代二极管。安森美FGY4LxxT120SWD具有最佳的性能，具有低开关和导通损耗，可在太阳能逆变器、UPS和ESS等各种应用中实现高−效率运行。