Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

结果: 9
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
1,459库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C XDH04G65 Tube
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
1,932库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C XDH06G65 Tube
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
1,987库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C XDH16G65 Tube

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
720库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C XDW20G65 Tube

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
521库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
225库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C XDH08G65 Tube
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
480库存量
500预期 2027/4/15
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C XDH10G65 Tube

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
240库存量
720预期 2026/5/18
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
数据表
720在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C XDW12G65 Tube