FFSP0865B

onsemi
863-FFSP0865B
FFSP0865B

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE TO220 650V

数据表:
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥24.8939 ¥24.89
¥13.899 ¥138.99
¥12.656 ¥1,265.60
¥11.8311 ¥5,915.55
¥11.3339 ¥11,333.90
¥10.8367 ¥27,091.75

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
650 V
1.39 V
56 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP0865B
Tube
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 73 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 50
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 650 V
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSP0865B 650V 8A碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSP0865B 650V、8A碳化硅肖特基二极管采用可提供出色开关性能和更高可靠性的技术。FFSP0865B碳化硅二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。其他优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸和更低的成本。FFSP0865B 650V、8A碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2LD封装。

650V SiC肖特基二极管

安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

D2 EliteSiC二极管

onsemi D2 EliteSiC二极管是一系列高性能二极管，设计用于需要650V额定电压的应用。 onsemi D2提供多种封装选项，包括DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2和TO-247-3。 这些二极管具有低电容电荷（QC），优化用于具有低正向电压的高速开关。由于具有各种特征，这些二极管非常适用于功率因数校正（PFC）和输出整流应用。

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