FGY100T120RWD

onsemi
863-FGY100T120RWD
FGY100T120RWD

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT

数据表:
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库存量: 754

库存：
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15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥115.3052 ¥115.31
¥68.1616 ¥681.62
¥67.0881 ¥6,708.81

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.43 V
- 20 V, 20 V
200 A
1.495 kW
- 55 C
+ 175 C
FGY100T120RWD
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FGY100T120RWD IGBT

安森美FGY100T120RWD IGBT在TO247采用TO247 3引脚封装，结合了新颖的第7代IGBT技术。FGY100T120RWD具有最佳性能、低导通损耗和良好的开关可控性。安森美FGY100T120RWD可在各种应用中高效运行，包括电机控制、UPS、数据中心和大功率开关。

工业电机驱动器

安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性，提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA)，工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。该报告还预测，使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳的排放安森美生产多种VFD半导体组件，包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。

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