RGSX5TS65 650V 75A场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A场终止沟槽型IGBT具有低集电极-发射极饱和电压。RGSX5TS65的短路耐受时间为8μs。它符合AEC-Q101标准，采用无铅电镀。