GCMS040B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS040B120S1-E1
GCMS040B120S1-E1

制造商：

说明：
MOSFET模块 1200V SiC COPACK Power Module

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解SemiQ GCMS040B120S1-E1详情

库存量: 5

库存：
5 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥241.1985 ¥241.20
¥183.2182 ¥1,832.18
¥160.8781 ¥16,087.81

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1.2 kV
57 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
- 55 C
+ 175 C
242 W
Tube
商标: SemiQ
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
类型: COPACK Power Module
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
Vf - 正向电压: 1.52 V
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The GCMS040B120S1-E1 supplies freewheeling SiC SBD with zero reverse recovery. The device provides low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMS040B120S1-E1 Power Module offers a low QRR at high temperatures and allows direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。