RJ1N04BBHTL1

ROHM Semiconductor
755-RJ1N04BBHTL1
RJ1N04BBHTL1

制造商：

说明：
MOSFET Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1详情

库存量: 772

库存：
772 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥37.0527 ¥37.05
¥24.3967 ¥243.97
¥17.2099 ¥1,720.99
¥14.7239 ¥7,361.95
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥14.7239 ¥11,779.12

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
5.3 mOhms
20 V
4 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
89 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 38 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Other

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RJ1N04BBH N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N沟道功率MOSFET提供80V漏极-源极电压和低导通电阻。该器件具有 ±100A连续漏极电流和89W功率耗散。RJ1N04BBH适合多种应用，包括开关、电机驱动和DC/DC转换器。ROHM RJ1N04BBH MOSFET采用大功率TO263AB封装。

125°C车用双线I2C总线EEPROM

ROHM Semiconductor用于双线汽车应用的125°C I2C总线EEPROM符合AEC-Q100标准。ROHM I2C总线EEPROM具有两个串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA) 端口，通过它们可以实现所有控制。该EEPROM工作电压限制宽（1.7V至5.5V），可在1MHz频率下工作。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。