NTK3134N单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NTK3134N单N沟道功率MOSFET具有ESD保护功能，是优化用于高效开关应用优化的强大MOSFET。安森美 (onsemi) NTK3134N组件采用紧凑的3引脚SOT-723封装，在4.5V电压下实现0.20Ω的低RDS(on) ，可最大限度地减少传导损耗并提升热性能。NTK3134N MOSFET的漏源电压额定值为20V，稳态漏极连续电流能力为890mA（最大值），非常适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器和负载开关电路。开关速度快和栅极电荷低，有助于降低功耗并提高整体系统效率，使这些MOSFET成为空间受限、功耗敏感设计的可靠选择。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
onsemi MOSFET Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection
数据表
27,375库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 40,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 890 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET 20V/6V N CH T1 890mA 0.3
数据表
产品评论
55,612库存量
32,000预期 2026/10/9
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 4,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 890 mA 350 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV - 55 C + 150 C 550 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 20V/6V N CH T1
数据表
4,167库存量
88,000预期 2026/10/9
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 890 mA 200 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV - 55 C + 150 C 550 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel