CoolSiC™ MOSFET 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与增强器件性能、可靠性和易用性的特性相结合。CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺,应用损耗极低,运行可靠性极高。CoolSiC非常适合在高温和恶劣环境应用中使用。

半导体类型

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结果: 41
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Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 254库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 332库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 栅极驱动器 ISOLATED DRIVER 592库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 153库存量
240预期 2026/2/23
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 20库存量
240预期 2026/3/2
最低: 1
倍数: 1



Infineon Technologies 栅极驱动器 ISOLATED DRIVER 1,310库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 91库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 300库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 92库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 251库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 155库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 132库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
480预期 2026/2/23
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
480预期 2026/6/16
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 11 周
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1