CoolSiC™ MOSFET 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与增强器件性能、可靠性和易用性的特性相结合。CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺,应用损耗极低,运行可靠性极高。CoolSiC非常适合在高温和恶劣环境应用中使用。

半导体类型

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结果: 40
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Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 320库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 342库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 18库存量
1,200在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 25库存量
240预期 2026/12/31
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 249库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 310库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 261库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
2,160预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1



Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000



Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000



Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1,995在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000



Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000



Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1