NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块
安森美NXH006P120MNF2PTG半桥碳化硅模块具有两个6mΩ 1200V碳化硅MOSFET开关和一个热敏电阻，采用F2封装。这些碳化硅MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、 交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。
安森美NXH006P120MNF2PTG半桥碳化硅模块具有两个6mΩ 1200V碳化硅MOSFET开关和一个热敏电阻，采用F2封装。这些碳化硅MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、 交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。