结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi MOSFET模块 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 N-Channel 1.2 kV 191 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 556 W NXH006P120M3F2PTHG Tray


onsemi MOSFET模块 PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray