1200V公共发射器IGBT模块

英飞凌科技1200V公共发射器IGBT模块是TRENCHSTOP™ IGBT7产品组合的一部分,将600A或800A公共发射器与低饱和、快速沟槽IGBT模块与发射器控制二极管结合在一起。这些1200V公共发射器IGBT模块在现有封装中具有更高电流能力,从而以相同框架尺寸提高逆变器输出功率。英飞凌1200V公共发射器IGBT模块具有高功率密度、可靠性和灵活性,设计用于三级配置。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极—射极漏泄电流 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A common emitter IGBT module 26库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A common emitter IGBT module 13库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray