DDB6U134N16RR IGBT硅模块

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT硅模块具有1.35V电压（100A正向电压时）和500W功率耗散。这些器件的最大工作温度范围为-40°C至+150°C。英飞凌DDB6U134N16RR IGBT硅模块采用45mm x 107.5mm x 20.5mm（宽 x 长 x 高）封装。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
If - 正向电流
配置
Vf - 正向电压
最小工作温度
最大工作温度
技术
封装
Infineon Technologies 二极管模块 LOW POWER ECONO
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies 二极管模块 LOW POWER ECONO
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Tray
Infineon Technologies 二极管模块 LOW POWER ECONO
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 15
倍数： 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray