DDB6U134N16RR IGBT硅模块

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT硅模块具有1.35V电压（100A正向电压时）和500W功率耗散。这些器件的最大工作温度范围为-40°C至+150°C。英飞凌DDB6U134N16RR IGBT硅模块采用45mm x 107.5mm x 20.5mm（宽 x 长 x 高）封装。