RF4 P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RF4 P沟道功率MOSFET具有低导通电阻，采用大功率小型模具封装  (HUML2020L8)。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用，如电源和电机驱动电路。

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
数据表
6,000预期 2026/4/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-8S P-Channel 1 Channel 40 V 6 A 40 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -4.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
数据表
5,500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-8S P-Channel 1 Channel 60 V 4 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel