LMG2656RFBR

Texas Instruments
595-LMG2656RFBR
LMG2656RFBR

制造商:

说明:
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ

寿命周期:
新产品:
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在途量:
2,000
预期 2026/3/5
生产周期:
12
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥101.3271 ¥101.33
¥78.8288 ¥788.29
¥75.1111 ¥1,877.78
¥65.2575 ¥6,525.75
¥62.2856 ¥15,571.40
¥56.8277 ¥28,413.85
¥49.7991 ¥49,799.10
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)
¥48.5561 ¥97,112.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-19
10 V
26 V
- 40 C
+ 125 C
LMG2656
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
开发套件: LMG2656EVM-102
输入电压 - 最大值: 26 V
最大开启延迟时间: 150 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms
关闭: No Shutdown
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
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已选择的属性: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2656 650V GaN功率FET半桥

Texas Instruments LMG2656 650V GaN功率FET半桥将半桥功率FET、栅极驱动器、自举FET和高侧栅极驱动器电平移位器集成在6mm x 8mm QFN封装中,简化了设计、减少了元器件数量,并减少了电路板空间。可编程导通斜率提供了EMI和振铃控制。与传统的电流感应电阻相比,低侧电流感应仿真减少了耗散功率,并允许将低侧导热片连接到PCB电源的接地。