IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET

IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET具有高达1200V的阻断电压，以及18mΩ或36mΩ低RDS(on) 。这些IXYS SiC功率MOSFET提供79nC (IXSJ43N120R1K) 或155nC (IXS80N120R1K) 的低栅极电荷以及2453pF (IXSJ43N120R1K) 或 4556pF (IXSJ80N120R1K) 的低输入电容。IXSJxN120R1K提供15V至18V灵活栅极电压范围，建议关断栅极电压为0V。应用包括电动汽车 (EV) 充电基础设施、太阳能逆变器、开关电源、不间断电源、电机驱动器等。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in ISO247-4L
数据表
390在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in ISO247-4L
数据表
400在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement