STGWA20H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20H65DFB2
Price: 24.45 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGWA20H65DFB2

制造商编号：

STGWA20H65DFB2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

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	¥27.6285	¥27.63
	¥16.9613	¥169.61
	¥11.6616	¥1,166.16
	¥10.4186	¥6,251.16
	¥9.0965	¥10,915.80
	¥8.3507	¥25,052.10
	¥8.2264	¥44,422.56
	¥8.1925	¥83,563.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	40 A
Pd-功率耗散:	147 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

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