AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT

安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT采用新型第七代场截止IGBT技术和第七代二极管，封装形式为4引脚。该IGBT的集电极-发射极电压 (VCES) 额定值为1200V，采用TO-247-4LD封装。其集电极-发射极饱和电压 (VCE(SAT)) 额定值为1.66V，集电极电流 (IC) 额定值为60A。安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD性能卓越，在汽车应用的各种硬开关与软开关拓扑结构中均能实现低通态电压与低开关损耗。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - Automotive Grade 1200 V 60 A
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.66 V 30 V 73 A 289 W - 55 C + 175 C AFGH4L60T120RW-STD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - Automotive Grade 1200 V 60 A, TO-247 4L
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 73 A 287 W - 55 C + 175 C AFGH4L60T120RWD-STD Tube