AFGHL50T65SQDC

onsemi
863-AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

数据表:
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库存量: 874

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥102.2424 ¥102.24
¥61.2121 ¥612.12
¥53.1891 ¥6,382.69

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
100 A
268 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL50T65SQDC
AEC-Q101
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
商标名: EliteSiC
单位重量: 7.326 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

AFGHL50T65SQDC混合IGBT

安森美半导体AFGHL50T65SQDC混合IGBT具有低导通损耗和开关损耗，性能极佳。AFGHL50T65SQDC具有50A电流和650V集电极-发射极电压。该器件非常适合用于在各种应用中高效运行，尤其是推拉输出电路无桥PFC和逆变器。AFGHL50T65SQDC混合IGBT符合汽车应用类AEC-Q100标准。

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