RxP120BLFRA功率MOSFET

ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET是一款符合 AEC-Q101标准的车规级MOSFET。此系列器件具有100V的漏极-源极击穿电压、62mΩ 的静态漏极-源极导通电阻和 ±12A的连续漏极电流。ROHM RxP120BLFRA功率MOSFET非常适合用于汽车应用,包括 ADAS、信息娱乐、照明和车身。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT N CHAN 100V 2,100库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 62 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN7 N CHAN 100V
3,000预期 2026/3/5
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 61 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape