1200V 3级IGBT模块

Infineon Technologies 1200V 3级IGBT模块提供出色的电气性能和高可靠性而不会限制设计的灵活性。这些IGBT模块小的只有数百瓦，大的有几兆瓦。1200V IGBT模块设计用于3级应用。

分离式半导体类型
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结果: 6
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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
数据表
167库存量
168预期 2026/2/25
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 400 A 3-level IGBT module
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
数据表
6库存量
24预期 2026/2/13
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 6
倍数： 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 15
倍数： 15

IGBT Modules Si