Q级HiPerFET™功率MOSFET

IXYS Q级HiPerFET™ 功率MOSFET设计用于硬开关和谐振模式应用。它们具有低栅极电荷、出色的耐用性以及快速本征二极管。IXYS Q级HiPerFET™ 功率MOSFET采用诸多标准工业封装包括隔离型封装。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

IXYS MOSFET 300V 52A
数据表
91库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube