异步SRAM

Renesas Electronics异步SRAM基于高性能、高可靠性CMOS技术。该技术和创新电路设计技术为高速异步SRAM存储器需求提供了经济高效的解决方案。全静态异步电路无需时钟或刷新即可工作。Renesas提供异步SRAM，采用符合RoHS 6/6标准的（绿色）封装，采用行业标准的封装选项。

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数量 RoHS ECAD模型 存储容量
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电源电压-最小
电源电流—最大值
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最大工作温度
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封装 / 箱体
封装

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tray

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS -40TO85C
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tray

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 32K X 16 静态随机存取存储器
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000
否
1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 250
倍数： 250
否
4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray